六方氮化硼上石墨烯纳米带的电子结构
介观与纳米尺度物理
2018-11-28 v1
摘要
六方氮化硼是一种理想的介电材料,可用于形成二维异质结构,因为它可剥离至仅几个原子厚且缺陷密度非常低。通过将石墨烯纳米带置于高质量六方氮化硼上,可制备具有非常高迁移率的理想准一维(1D)系统。高质量一维电子系统的可用性也极具意义,因为当其邻近超导体时,可被有效构建以实现马约拉纳束缚态。本工作中,我们研究氮化硼衬底如何影响石墨烯纳米带的电子性质。我们考虑了扶手椅型和锯齿型纳米带。我们的结果表明,对于某些堆垛构型,氮化硼可显著影响纳米带的电子结构。特别地,对于锯齿型纳米带,由于边缘处自旋与子晶格自由度的锁定,六方氮化硼可诱导出自旋极化边缘态的非常强的自旋分裂。我们发现该自旋分裂可高达 40~meV。
引用
@article{arxiv.1808.10039,
title = {Electronic structure of graphene-nanoribbons on hexagonal boron nitride},
author = {Yohanes S. Gani and D. S. L. Abergel and Enrico Rossi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.10039},
year = {2018}
}