用于电烧蚀石墨烯纳米结的六方氮化硼衬底
介观与纳米尺度物理
2016-06-29 v1
摘要
我们研究了六方氮化硼 (hBN) 衬底对间隙形成前石墨烯纳米结中电子输运的影响。真空中和 hBN 上的结是通过经典分子动力学创建初始结构，随后使用密度泛函理论进行弛豫而形成的。我们发现，hBN 仅在低偏压下略微降低了通过结的电流。此外，由于断裂最后时刻的量子干涉，发现跨越间隙的单根碳丝的电流高于平行跨越间隙的两根丝的电流。这一特征在存在或不存在 hBN 的情况下均存在。
引用
@article{arxiv.1509.02851,
title = {Hexagonal-boron nitride substrates for electroburnt graphene nanojunctions},
author = {Hatef Sadeghi and Sara Sangtarash and Colin Lambert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.02851},
year = {2016}
}