准自由站立且单原子厚的六方氮化硼层作为石墨烯合成的衬底
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
我们证明，通过将 Au 原子插层到界面中，可以使单原子厚的六方氮化硼 (hbn) 层从与生长在 W(110) 衬底上的 Ni(111) 薄膜的紧密化学键合中释放出来。利用角分辨光电子能谱、X射线光电子能谱和吸收技术对这一过程进行了系统研究。结果表明，hbn 层从“刚性”态到“准自由站立”态的转变伴随着其晶格常数的变化。利用化学气相沉积法，已在绝缘的、准自由站立的 hbn 单层上成功合成了石墨烯。我们预计，原位合成的弱相互作用的石墨烯/hbn 双层系统可进一步开发用于技术应用，并可能为深入探究石墨烯不寻常的电子性质提供前景。
引用
@article{arxiv.1008.1874,
title = {Quasi-freestanding and single-atom thick layer of hexagonal boron nitride as a substrate for graphene synthesis},
author = {D. Usachov and D. Haberer and A. Grüneis and H. Sachdev and A. B. Preobrajenski and V. K. Adamchuk and C. Laubschat and D. V. Vyalikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.1874},
year = {2015}
}
备注
in print in Phys. Rev. B