氧环境下氮化硼-石墨烯面内六方异质结构
材料科学
2022-08-25 v2
摘要
为改进氮化硼与石墨烯(h-BNG)横向异质结构的制备方案，我们研究了h-BNG薄膜在铂上的生长及其在氧环境中的行为。我们采用基于先进光谱与成像技术的表面科学方法，考察各反应步骤中表面化学计量与化学中间体的演化。在逐步升温的氧暴露过程中，我们观察到氧的渐进且后续的插层，以及石墨烯的选择性刻蚀伴随硼的氧化。此外，利用O2在250{\deg}C下对石墨烯的刻蚀选择性并重复生长周期，我们获得了组分可控的面内h-BNG层，以及无需连续转移工艺的垂直堆叠h-BN/Gr异质结构。使用单一前驱体分子的生长有利于开发用于电子器件的通用原子级薄层。
引用
@article{arxiv.2208.10990,
title = {Boron nitride-graphene in-plane hexagonal heterostructure in oxygen environment},
author = {Elena Magnano and Silvia Nappini and Igor Pis and Tevfik Onur Mentes and Francesca Genuzio and Andrea Locatelli and Federica Bondino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.10990},
year = {2022}
}