面内应变对公度石墨烯/六方氮化硼超晶格的影响
介观与纳米尺度物理
2018-12-03 v2
摘要
由于原子级薄层结构，石墨烯/六方氮化硼（G/hBN）异质结构对其晶格结构所承受的外部机械力与形变极为敏感。特别地，应变可导致 G/hBN 电子性质的改变。此外，由石墨烯与 hBN 层间失配驱动的莫尔结构为 G/hBN 的电子行为引入了新特征。利用 {\it ab initio} 计算，我们研究了在同时两层施加面内应变时，不同堆垛缺陷的 G/hBN 的应变诱导电子性质改变。我们观察到，在实验可行体系中，百分之几量级的面内应变与莫尔图案的相互作用导致了显著的谷漂移、带隙调制以及衬底诱导费米速度重整化的增强。进一步，我们发现无论应变方向如何，在施加面内非等双轴应变时，锯齿形方向对电子传输更为有效。
引用
@article{arxiv.1807.02847,
title = {Impacts of in-plane strain on commensurate graphene/hexagonal boron nitride superlattices},
author = {Zahra Khatibi and Afshin Namiranian and S. F. K. S. Panahi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02847},
year = {2018}
}
备注
8 pages and 6 figures