六方氮化硼封装石墨烯中公度与非公度双莫尔干涉

Nicolas Leconte; Jeil Jung

六方氮化硼封装石墨烯中公度与非公度双莫尔干涉

介观与纳米尺度物理 2020-01-03 v1

作者: Nicolas Leconte , Jeil Jung

摘要

石墨烯（G）被六方氮化硼（BN）封装所形成的双莫尔图样的干涉，可改变由单一G/BN莫尔图样引入的初级/次级狄拉克点附近的电子结构特征与电子-空穴对称性，这取决于顶部/底部BN层的相对堆叠排列。我们表明，在近乎对齐的BN/G/BN与BN/G/NB中发现了强干涉效应，并获得了关联态密度随莫尔超晶格扭转角的演化。对于相等莫尔周期且公度图样、具有模 $60^{\circ}$ 的 $\Delta \phi = 0^{\circ}$ 角差的情形，图样可相长叠加导致空穴侧约 $\sim 0.5$ eV的大赝能隙，或依其相对滑移相消叠加，例如部分恢复电子-空穴对称性。对于 $\Delta \phi =30^{\circ}$ 差的莫尔准晶的电子结构揭示了态密度中的双莫尔特征，具有近乎孤立的范霍夫奇点，我们可预期强关联。

关键词

石墨烯六方氮化硼莫尔图样公度非公度态密度范霍夫奇点

引用

@article{arxiv.2001.00096,
  title  = {Commensurate and incommensurate double moire interference in graphene encapsulated by hexagonal boron nitride},
  author = {Nicolas Leconte and Jeil Jung},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2001.00096},
  year   = {2020}
}

备注

9 pages, 7 figures

六方氮化硼封装石墨烯中公度与非公度双莫尔干涉

摘要

关键词

引用

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