六方氮化硼上石墨烯的莫尔能带模型与带隙
介观与纳米尺度物理
2017-09-06 v1
摘要
六方氮化硼上近对齐的石墨烯（G/BN）可以通过被平滑变化的莫尔图案赝自旋场微扰的 Dirac 哈密顿量来精确建模。在此，我们在结合对称性考虑与 ab-initio 计算输入的框架下，给出了任意小扭转角下 G/BN 的莫尔能带模型。我们对主 Dirac 点和次 Dirac 点处带隙的分析突出了莫尔图案中空间反演对称性破缺贡献的作用：当莫尔应变产生有限的平均质量时导致主 Dirac 点带隙，而当莫尔赝自旋分量被适当混合时导致次带隙。在莫尔原胞中对称点附近可达高达约 40 Tesla 的赝磁场应变，几乎完全源于虚跃迁，并主导了由莫尔应变引起的键长畸变所产生的贡献。
引用
@article{arxiv.1706.06016,
title = {Moir\'e band model and band gaps of graphene on hexagonal boron nitride},
author = {Jeil Jung and Evan Laksono and Ashley M. DaSilva and Allan H. MacDonald and Marcin Mucha-Kruczyński and Shaffique Adam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.06016},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 8 figures, 3 tables