六方氮化硼上超平坦石墨烯的扫描隧道显微镜谱学研究

石墨烯因其在狄拉克点交叉的线性能量-动量色散关系，在未来的电子技术以及基础物理应用中展现出巨大潜力。然而，由于无序的存在，石墨烯中会形成局域的微观电子和空穴液滴，导致即使在电荷中性点也存在有限载流子密度，这使得探索狄拉克点附近的低密度区域物理变得困难。人们曾尝试通过悬空石墨烯来减少无序，但这带来了制造挑战和器件脆弱性问题，使得局域谱学测量难以进行。最近的研究表明，将石墨烯置于六方氮化硼（hBN）上可改善器件性能。在本快报中，我们利用扫描隧道显微镜证明石墨烯会顺应hBN的表面形貌，这从形貌图像中观察到的莫尔条纹得以证实。然而，与近期预测相反，由于晶格失配，这种顺应并未导致显著的带隙。此外，局域谱学测量表明，与在氧化硅上相比，电子-空穴电荷涨落降低了两个数量级。这使得电荷涨落与悬空石墨烯中的一样小，从而为狄拉克点物理开辟了比自由悬浮器件更多样的实验可能性。