氮化硼上石墨烯的输运与粒子-空穴不对称性
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v2 材料科学
摘要
在六方氮化硼（hBN）衬底上的石墨烯的所有局域电子性质都表现出空间 moiré 图案（莫尔图案），这与共享的三角 Bravais 格子之间的晶格常数和取向差异有关。我们应用先前导出的 h-BN 上石墨烯 能带的有效哈密顿量来处理输运性质的载流子依赖性，聚焦于每个晶胞四个电子和四个空穴处的电导特征。这些输运特征度量了 电子偏离 moiré 图案的 Bragg 散射强度，并展现出显著的粒子-空穴不对称性，我们将其追溯到有效哈密顿量的特定特征，并给出了物理解释。
引用
@article{arxiv.1503.04312,
title = {Transport and particle-hole asymmetry in graphene on boron nitride},
author = {Ashley M. DaSilva and Jeil Jung and Shaffique Adam and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04312},
year = {2015}
}