光辐照下垂直异质结构的输运性质

光辐照下双层异质结构的电子与输运性质对提升光电器件功能具有根本意义。我们从理论上研究在时间周期外光场下双层石墨烯和双层异质结构输运性质的改变。体电子与输运性质在 Landauer 型构型中使用非平衡格林函数形式体系进行研究。为阐明光照明下双层接触的差分电导行为，我们考虑双层石墨烯和石墨烯/六方氮化硼异质结构的紧束缚模型。非绝热驱动诱导原始能带结构的边带并在准能谱中打开能隙。在输运性质中，能隙打开表现为差分电导的抑制。除抑制外，若光激发电子隧穿进入或离开范霍夫奇点，外光场会诱导差分电导的增强。