大位移场下双栅极双层石墨烯的电子输运
介观与纳米尺度物理
2010-10-12 v1
摘要
我们研究了双栅极双层石墨烯器件的电子输运性质。我们关注低温与高电位移场区域，在此区域中，我们观察到电阻随位移场和密度呈明显的指数依赖关系，并伴随输运特性的强烈非线性行为。有效输运能隙通常比红外光谱学研究报道的光学带隙小两个数量级。详细的温度依赖性测量揭示了不同温度区域中的不同输运机制。
引用
@article{arxiv.1009.0714,
title = {Electronic Transport in Dual-gated Bilayer Graphene at Large Displacement Fields},
author = {Thiti Taychatanapat and Pablo Jarillo-Herrero},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0714},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 3 figures