双层石墨烯双栅极纳米器件：第一性原理模拟
介观与纳米尺度物理
2011-10-03 v1
摘要
我们通过第一性原理计算研究了双栅极双层石墨烯纳米器件的电子输运性质。我们考察了电流随栅极长度和温度的变化关系。在外部电场作用下，我们表明即使栅极长度高达 100 埃，仍会表现出非零电流。该结果可通过能隙中残留态导致的隧穿机制来解释。我们还讨论了在无缺陷且无外载流子掺杂的系统中达到电荷中性点的条件。
引用
@article{arxiv.1109.6929,
title = {Bilayer graphene dual-gate nanodevice: An ab initio simulation},
author = {J. E. Padilha and Matheus P. Lima and A. J. R. da Silva and A. Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.6929},
year = {2011}
}