双层石墨烯中栅极定义的零维和一维限制
介观与纳米尺度物理
2013-04-10 v1
摘要
我们报道了基于双层石墨烯夹在六方氮化硼底部和顶部栅极介电层之间的纳米器件的制备和测量。顶部栅极被图案化，使得可以通过对栅极施加适当电压来静电诱导收缩和岛。器件的高质量体现在低温下收缩中的电导量子化。岛表现出清晰的库仑阻塞和单电子输运。
引用
@article{arxiv.1205.5825,
title = {Gate defined zero- and one-dimensional confinement in bilayer graphene},
author = {Augustinus and M. Goossens and Stefanie C. M. Driessen and Tim A. Baart and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Lieven M. K. Vandersypen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.5825},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 5 figures