双层石墨烯中栅极定义的电子-空穴双量子点
介观与纳米尺度物理
2018-08-29 v2
摘要
我们展示了静电间隙双层石墨烯中栅极控制的单点、双点和三点器件操作。得益于近期样品制备方面的进展,包括将双层石墨烯封装于六方氮化硼中以及使用石墨栅极,现已能够在双层石墨烯中静电限域载流子,并完全夹断通过量子点器件的电流。在此,我们讨论电子-空穴双量子点的操作与表征。我们展示了器件非凡的控制程度,其允许实现两个具有非常相似能量尺度的不同栅极定义电子-空穴双量子点系统。在单点区域,我们提取激发态能量并研究其在平行磁场中的演化,这与g因子为2所预期的塞曼自旋分裂相符。
引用
@article{arxiv.1803.10857,
title = {Gate-defined electron-hole double dots in bilayer graphene},
author = {Luca Banszerus and Benedikt Frohn and Alexander Epping and Daniel Neumaier and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Christoph Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.10857},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 5 figures