由顶栅定义的双层石墨烯量子点
介观与纳米尺度物理
2018-11-15 v3
摘要
我们研究了在剥离的双层石墨烯上应用纳米级顶栅以定义量子点器件。在低于 500 mK 的温度下，接地栅极下方的电导受到抑制，我们将此归因于最近邻跳跃和应变诱导的压电场。因此，可以通过调节到相应的温度范围，利用这种栅极布局来定义电阻区域。我们使用此方法在双层石墨烯中定义了一种量子点结构，其显示的库仑阻塞振荡与栅极布局一致。
引用
@article{arxiv.1304.7661,
title = {Bilayer Graphene Quantum Dot Defined by Topgates},
author = {André Müller and Bernd Kaestner and Frank Hohls and Thomas Weimann and Klaus Pierz and Hans W. Schumacher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7661},
year = {2018}
}