单层与双层石墨烯器件量子电容的唯象模型
介观与纳米尺度物理
2011-08-02 v1 材料科学
摘要
石墨烯纳米结构在三端器件的门延迟方面展现出内在优势，并在量子电容极限下工作时提供额外益处。在本文中，我们建立了一个简单的模型，该模型捕捉了单层和双层石墨烯器件量子电容的费米能和温度依赖性。量子电容由展宽的态密度计算得出，计算中通过高斯展宽分布考虑了电子-空穴坑以及电子态可能的有限寿命。所得结果与近期在栅控单层和双层石墨烯器件量子电容测量中观察到的许多特征相一致。此外，还研究了电荷中性点附近最小量子电容的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.1105.5827,
title = {A Phenomenological Model for the Quantum Capacitance of Monolayer and Bilayer Graphene Devices},
author = {George S. Kliros},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5827},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 4 figures, to appear in Rom. J. Inf. Sci. Technol. Vol.11 (2011)