具有倾斜双栅的晶圆级室温弹道石墨烯场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-07-27 v1
摘要
我们制备并测量了具有两个可独立偏置的倾斜栅的弹道石墨烯晶体管。栅长约为38 nm，相距30 nm，相对于间距为190 nm的源极和漏极电极的倾斜角为45o。电学测量揭示了弹道载流子输运的特定性质，即非线性漏电压-漏电流依赖关系，显示出饱和区，以及在某些偏置电压下的负微分电阻，若不涉及与弹道输运相关的物理机制则无法解释。数十个具有非常大跨导的弹道晶体管制备在从4英寸石墨烯晶圆上切下的芯片上。这种双栅晶体管构型也可用作极高效率的、最先进的光电探测器。
引用
@article{arxiv.1604.02583,
title = {Room temperature on-wafer ballistic graphene field-effect-transistor with oblique double-gate},
author = {Mircea Dragoman and Adrian Dinescu and Daniela Dragoman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.02583},
year = {2016}
}