解决石墨烯电子学难题：石墨烯纳米图形化晶体管中的高迁移率与高开关比
介观与纳米尺度物理
2018-03-14 v1
摘要
在晶圆尺度上制造了数十个具有纳米穿孔沟道和不同沟道长度的石墨烯晶体管。纳米孔中心直径为20 nm，周期为100 nm，沟道长度为1、2、4或8微米。我们发现，在这些宽度为2微米的晶体管中，迁移率从沟道长度1微米时的约10400 cm2/Vs变化到沟道长度8微米时的约550 cm2/Vs。无论迁移率数值如何，在所有晶体管中，在漏极和栅极电压小于2 V时，开关比均在10^3-10^4范围内。依赖于沟道长度的迁移率和电导值表明了电荷载流子强局域化的开始，而高开关比是由于纳米穿孔打开了带隙。
引用
@article{arxiv.1702.05726,
title = {Solving the graphene electronics conundrum: high mobility and high on-off ratio in graphene nanopatterned transistors},
author = {Mircea Dragoman and Adrian Dinescu and Daniela Dragoman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05726},
year = {2018}
}