石墨烯场效应晶体管高频性能极限评估
介观与纳米尺度物理
2011-02-09 v1
摘要
通过使用自洽量子模拟，研究了沟道长度低至 20nm 的石墨烯场效应晶体管(FET)的高频性能极限。结果表明，尽管对于亚 100nm 的石墨烯 FET，Klein 带间隧穿效应显著，但即使在 20nm 沟道长度下，仍有可能实现良好的跨导和大于 3 的弹道开关比。在 20nm 沟道长度下，对于各种栅绝缘层厚度，本征截止频率保持在几太赫兹，但为了获得良好的跨导以及在存在寄生电容时减小截止频率的退化，薄的栅绝缘层是必要的。本征截止频率接近由石墨烯动感电感和量子电容决定的 LC 特征频率，该频率约为 100GHz·μm 除以栅极长度。
引用
@article{arxiv.1102.1457,
title = {Assessment of High-Frequency Performance Limits of Graphene Field-Effect Transistors},
author = {Jyotsna Chauhan and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.1457},
year = {2011}
}
备注
24 pages, 7 figures