石墨烯场效应晶体管的延迟分析
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
在本文中，我们分析了石墨烯场效应晶体管 (GFETs) 中的载流子渡越延迟。GFETs 是在蓝宝石衬底上以晶圆级规模制造的。对于栅极长度为 210 nm 的器件，在去嵌入前后分别获得了 18 GHz 和 22 GHz 的电流增益截止频率 fT。从栅极电容 Cgs 和 Cgd 的缩放行为中提取内部电容 (Cgs,i, Cgd,i) 和外部电容 (Cgs,ex 和 Cgd,ex)，从而得到本征 ({\tau}_int)、外征 ({\tau}_ext) 和寄生延迟 ({\tau}_par)。此外，本征延迟的提取提供了一种从实验数据直接估算载流子速度的新方法，而将总延迟分解为本征、外征和寄生分量可为优化射频 GFETs 结构提供有价值的信息。
引用
@article{arxiv.1112.4831,
title = {Delay Analysis of Graphene Field-Effect Transistors},
author = {Han Wang and Allen Hsu and Dong Seup Lee and Ki Kang Kim and Jing Kong and Tomas Palacios},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.4831},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 3 figures, accepted for publication in IEEE Electron Device Letters