石墨烯 FET 与硅 MOSFET 的射频性能预测对比
介观与纳米尺度物理
2012-09-05 v2
摘要
本文比较了用提取的器件参数校准的石墨烯场效应晶体管（GFET）模型与商用 65 nm 硅 MOSFET 模型在射频行为方面的表现。尽管 GFET 具有更高的迁移率，但其速度仍略逊于 CMOS。这有悖直觉，但可以通过强非线性电压相关栅电容的影响来解释。GFET 仅在较窄的 VDS 和 IDS 范围内才能实现其最大性能，这在电路设计中必须仔细考虑。对于我们的参数集，GFET 至少需要 μ = 3000 cm² V⁻¹ s⁻¹ 的迁移率，才能达到与 65 nm 硅 MOSFET 相同的性能。
引用
@article{arxiv.1110.0978,
title = {RF Performance Projections of Graphene FETs vs. Silicon MOSFETs},
author = {Saul Rodriguez and Sam Vaziri and Mikael Ostling and Ana Rusu and Eduard Alarcon and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0978},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 3 figures