顶栅和侧栅外延石墨烯场效应晶体管
材料科学
2010-05-02 v1
摘要
本文介绍了三种第一代外延石墨烯场效应晶体管(FET)，并讨论了它们的相对优缺点。石墨烯在六方碳化硅的碳面和硅面上外延生长，并通过电子束光刻进行图案化。沟道采用霍尔棒几何结构以方便磁阻测量。在Si面图案化的FET表现出超过30的关态到开态沟道电阻比。C面FET的关态到开态电阻比较低，但其迁移率(高达5000 cm²/Vs)远高于Si面晶体管。对全石墨烯侧栅FET结构的初步研究显示出前景。
引用
@article{arxiv.0908.0017,
title = {Top and side gated epitaxial graphene field effect transistors},
author = {Xuebin Li and Xiaosong Wu and Mike Sprinkle and Fan Ming and Ming Ruan and Yike Hu and Claire Berger and Walt A. de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0017},
year = {2010}
}