来自晶圆级外延石墨烯的100 GHz晶体管
材料科学
2010-02-23 v1
摘要
在2英寸SiC晶圆上合成的外延石墨烯上制备了高性能石墨烯场效应晶体管，在240 nm栅极长度下实现了100 GHz的截止频率。这些外延石墨烯晶体管的高频性能不仅显示了迄今为止任何石墨烯器件的最高速度，而且超过了相同栅极长度的Si MOSFET。该结果证实了石墨烯在先进电子学应用中的巨大潜力，标志着碳电子学的一个重要里程碑。
引用
@article{arxiv.1002.3845,
title = {100 GHz Transistors from Wafer Scale Epitaxial Graphene},
author = {Yu-Ming Lin and Christos Dimitrakopoulos and Keith A. Jenkins and Damon B. Farmer and Hsin-Ying Chiu and Alfred Grill and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.3845},
year = {2010}
}