晶圆级石墨烯薄膜的合成与转移
材料科学
2010-06-08 v1
摘要
我们开发了在常压下于镍和铜薄膜上生产晶圆级、高质量石墨烯薄膜（尺寸可达3英寸晶圆）的方法，并通过瞬时刻蚀金属层将其转移到任意基底上。我们还展示了大面积石墨烯薄膜在批量制备场效应晶体管阵列和可拉伸应变计中的应用，这些器件表现出非凡的性能。在-0.75V的漏极偏压下，晶体管的空穴和电子迁移率分别达到1100 cm²/Vs和550 cm²/Vs。应变传感器的压阻应变系数约为6.1。这些方法代表了在晶圆尺度上实现石墨烯器件以及在光电子学、柔性和可拉伸电子学中应用的重要一步。
引用
@article{arxiv.0910.4783,
title = {Wafer-scale synthesis and transfer of graphene films},
author = {Youngbin Lee and Sukang Bae and Houk Jang and Sukjae Jang and Shou-En Zhu and Sung Hyun Sim and Young Il Song and Byung Hee Hong and Jong-Hyun Ahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4783},
year = {2010}
}
备注
18 pages