柔性衬底上具有吉赫兹频率功率增益的石墨烯场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2013-02-07 v1
摘要
开发工作在射频 (RF) 下的柔性电子设备需要兼具优异电子性能和承受高应变能力的材料。在本工作中，我们在柔性衬底上利用化学气相沉积 (CVD) 生长的石墨烯制备了石墨烯场效应晶体管 (GFETs)。我们的器件展示了高达 10.7 GHz 和 3.7 GHz 的电流增益截止频率 和最大振荡频率 ，应变极限为 1.75%。这些器件是唯一报道的能在超过 0.5% 应变水平下实现吉赫兹频率功率增益的技术。因此，它们证明了 CVD 石墨烯在需要高灵活性和射频操作的广泛柔性电子技术中的应用潜力。
引用
@article{arxiv.1302.1421,
title = {Graphene field-effect transistors with gigahertz-frequency power gain on flexible substrates},
author = {Nicholas Petrone and Inanc Meric and James Hone and Kenneth L. Shepard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1421},
year = {2013}
}
备注
18 pages with 5 figures