具有饱和 IV 特性的石墨烯场效应晶体管的高频性能
介观与纳米尺度物理
2011-12-14 v1
摘要
本文研究了具有氮化硼栅介电层的石墨烯场效应晶体管（GFETs）的高频性能。在 600 nm 沟道长度下，器件表现出饱和的 IV 特性，且 fmax 值高达 34 GHz。此外，还考察了 fT 和 fmax 的偏置依赖性，以及双极性沟道对跨导和输出电阻的影响。
引用
@article{arxiv.1112.2777,
title = {High-frequency performance of graphene field effect transistors with saturating IV-characteristics},
author = {I. Meric and C. R. Dean and S. -J. Han and L. Wang and K. A. Jenkins and J. Hone and K. L. Shepard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2777},
year = {2011}
}
备注
IEDM 2011