室温下具有高开关比的纳米穿孔石墨烯晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v1
摘要
我们报道了以纳米穿孔石墨烯为沟道批量制备石墨烯场效应晶体管（GFETs）的工作。这些晶体管被切割并封装。封装后的GFETs显示出可通过调节顶栅电压调谐的饱和区，并且在室温下具有高达10^8的开关比。此外，纳米穿孔GFETs的光响应比任何不涉及带隙材料异质结的室温石墨烯探测器构型高出数个数量级。
引用
@article{arxiv.1604.02584,
title = {Room temperature nanostructured graphene transistors with high on-off ratio},
author = {Mircea Dragoman and Adrian Dinescu and Daniela Dragoman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.02584},
year = {2016}
}