高开关比的石墨烯纳米收缩区场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2010-09-08 v1 材料科学
摘要
我们报道了一种制备关键尺寸低于10 nm的单层石墨烯纳米收缩区场效应晶体管（NCFET）的方法。NCFET的制备得益于使用反馈控制电迁移（FCE）在首先通过传统光刻技术图案化的金刻蚀掩模中形成收缩区。FCE的使用使得刻蚀掩模能够在传统纳米光刻极限以下的尺寸尺度上进行图案化。我们观察到，随着NCFET宽度的减小，会打开一个由约束诱导的能隙，这由NCFET开关比的急剧增加所证实。通过此方法，对于最窄的器件，我们在室温下获得的开关比可大于1000；这是首次报道在图案化石墨烯FET中获得如此大的室温开关比。
引用
@article{arxiv.1009.1335,
title = {High On/Off Ratio Graphene Nanoconstriction Field Effect Transistor},
author = {Ye Lu† and Brett Goldsmith† and Douglas R. Strachan†‡ and Jonghsien Lim§ and Zhengtang Luo† and A. T. Charlie Johnson*†},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.1335},
year = {2010}
}
备注
18 pages, 6 figures, to appear in Small