晶圆级边缘特异性石墨烯纳米带的生长与表征
介观与纳米尺度物理
2018-09-27 v1
摘要
在场效应晶体管中使用石墨烯的方法之一是通过量子限制效应引入带隙[1]。这就是为什么宽度小于50nm的窄石墨烯纳米带(GNRs)被认为是未来石墨烯电子学中的关键组件。利用可扩展光刻技术在SiC(0001)台面结构侧壁上生长石墨烯已被证明可产生具有优异输运性质的高质量GNR[2-7]。此类外延石墨烯纳米带在基础科学中非常重要，但如果GNR拟用于先进纳米电子学，则应在大(晶圆)尺度上制备高质量薄(<50nm)纳米带。在此我们提出一种在SiC(0001)硅面上可扩展模板生长高质量GNR的技术，并提供详细的结构信息及输运性质。我们成功沿[1-100]和[11-20]晶向生长出GNR。所生长纳米带的质量通过高分辨STM、暗场LEEM和输运测量的综合表征得到确认。
引用
@article{arxiv.1809.10001,
title = {Wafer scale growth and characterization of edge specific graphene nanoribbons},
author = {Alexei A. Zakharov and Nikolay A. Vinogradov and Johannes Aprojanz and Christoph Tegenkamp and Claudia Struzzi and Tikhomir Yakimov and Rositsa Yakimova and Valdas Jokubavicius},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10001},
year = {2018}
}