通过分子束外延在邻晶SiC表面上生长石墨烯纳米带
材料科学
2013-03-27 v1
摘要
我们提出了一种利用邻晶SiC表面作为模板，通过分子束外延生长密集有序的外延石墨烯纳米带阵列的新方法。该模板由有序的(0001)平台和纳米小面组成。在约10 nm宽的(0001)平台上进行可控选择性生长，间距10 nm，从而形成石墨烯纳米带。通过选择SiC衬底的邻晶方向[1-100]，获得了以扶手椅型边缘为主的良好有序石墨烯纳米带。这些高密度石墨烯纳米带结构使我们能够通过角分辨光电子能谱观察到K点的电子结构，显示出至少0.14 eV的清晰带隙打开。
引用
@article{arxiv.1210.4304,
title = {Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy},
author = {Takashi Kajiwara and Yuzuru Nakamori and Anton Visikovskiy and Takushi Iimori and Fumio Komori and Kan Nakatsuji and Kazuhiko Mase and Satoru Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.4304},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 5 figures