利用SiC上的石墨烯层模拟纳米带行为
材料科学
2010-10-11 v3
摘要
我们提出了一种在允许大规模器件集成的系统中创建石墨烯量子限制区域的自然方法。我们使用第一性原理计算表明，在 的沟槽区域上的单层石墨烯模拟了i)费米能级附近的能带和ii)独立石墨烯纳米带的磁性质。根据沟槽方向，模拟了锯齿形或扶手椅形纳米带。这种行为的发生是因为SiC表面上的单层石墨烯失去了类石墨烯性质，而这些性质仅在沟槽上方恢复，从而提供了受限的条带区域。
引用
@article{arxiv.1008.2998,
title = {Mimicking Nanoribbon Behavior Using a Graphene Layer on SiC},
author = {Matheus P. Lima and A. R. Rocha and Antônio J. R. da Silva and A. Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.2998},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures