SiC(0001)上外延石墨烯纳米带的电子结构

I. Deretzis; A. La Magna

doi:10.1063/1.3202397

SiC(0001)上外延石墨烯纳米带的电子结构

介观与纳米尺度物理 2009-08-19 v1 材料科学

作者: I. Deretzis , A. La Magna

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摘要

我们展示了在SiC(0001)上生长的少层外延石墨烯纳米带的电子结构计算。通过扩展Hückel理论中石墨烯层和衬底的原子级描述以及实空间/动量空间投影，我们认为异质结构界面的作用对所研究系统的导电能力至关重要。这种相互作用产生的关键问题是悬挂界面键引入的费米能级钉扎效应。该现象与所考虑的纳米结构的宽度无关，削弱了这些系统中限域的重要性。

关键词

外延石墨烯纳米带 SiC(0001) 电子结构扩展Hückel理论费米能级钉扎界面悬挂键限域

引用

@article{arxiv.0908.2554,
  title  = {Electronic structure of epitaxial graphene nanoribbons on SiC(0001)},
  author = {I. Deretzis and A. La Magna},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0908.2554},
  year   = {2009}
}

备注

8 pages, 4 figures

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