SiC(000$\bar{1}$)上外延石墨烯的单层金属性与界面磁性
介观与纳米尺度物理
2011-03-07 v1
摘要
我们采用密度泛函理论计算，确定了4H-SiC(000)上外延石墨烯的结构和电子性质。使用最小化非物理应力的匹配超胞，我们表明，与Si面外延薄膜不同，在SiC的C面上形成的第一层石墨烯是纯金属性的，其能带得到了部分保留。典型的独立特征在第二层石墨烯中完全恢复。此外，我们讨论了界面的磁性以及费米能级钉扎效应的缺失，这可能允许从关断状态开始实现合理的器件工作。
引用
@article{arxiv.1103.0839,
title = {Single-layer metallicity and interface magnetism of epitaxial graphene on SiC(000$\bar{1}$)},
author = {I. Deretzis and A. La Magna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0839},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures