在SiC上生长的外延石墨烯的结构和电子性质
材料科学
2010-01-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们综述了将外延石墨烯发展为碳电子学材料的进展。特别地，讨论了外延石墨烯生长、界面控制以及对多层外延石墨烯电子性质理解的改进。虽然也涉及在SiC两个极性面上生长的石墨烯，但我们的讨论将聚焦于在SiC的(000-1) C面上生长的石墨烯。C面多层外延石墨烯的独特性质已经显现。这些薄膜在电子学上表现得像一堆几乎独立的石墨烯片层，而不是一个薄的伯纳尔堆叠石墨样品。多层石墨烯电子行为的起源是其独特的、非伯纳尔旋转石墨烯平面的高度有序堆叠。虽然这些旋转不会显著影响层间相互作用，但它们确实打破了石墨的堆叠对称性。正是这种破缺的对称性导致每个片层表现得像一个孤立的石墨烯平面。
引用
@article{arxiv.1001.3869,
title = {Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC},
author = {M. Sprinkle and J. Hicks and A. Tejeda and A. Taleb-Ibrahimi and P. Le Fèvre and F. Bertran and H. Tinkey and M. C. Clark and P. Soukiassian and D. Martinotti and J. Hass and W. A. de Heer and C. Berger and E. H. Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.3869},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 16 figures