氩气辅助外延石墨烯在碳化硅C面上的形貌表征
材料科学
2012-08-27 v1 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
摘要
利用氩气辅助生长工艺，在4H-和6H-SiC的C面上生长了外延石墨烯层。研究发现，生长温度和压力的变化会显著影响层的形貌特性。生长过程中氩气的存在减缓了C面上石墨烯的形成速率，并导致观察到岛状生长。岛状结构与连续薄膜的形貌相似性表明，岛状成核与合并是C面石墨烯的生长机制。
引用
@article{arxiv.1007.5064,
title = {Morphology Characterization of Argon-Mediated Epitaxial Graphene on C-face SiC},
author = {Joseph L. Tedesco and Glenn G. Jernigan and James C. Culbertson and Jennifer K. Hite and Yang Yang and Kevin M. Daniels and Rachael L. Myers-Ward and Charles R. Eddy, and Joshua A. Robinson and Kathleen A. Trumbull and Maxwell T. Wetherington and Paul M. Campbell and D. Kurt Gaskill},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.5064},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 4 figures