氩气辅助 Cu(111) 上外延石墨烯的生长
材料科学
2013-07-19 v1
摘要
利用低能电子衍射、低能电子显微镜和原子力显微镜，研究了在超高真空系统中通过乙烯在 Cu(111) 上的催化分解生长石墨烯的过程。尝试在高达 10 mTorr 的压力和高达 900 C 的衬底温度下使用乙烯形成石墨烯覆盖层，结果几乎没有石墨烯生长。通过使用氩气过压，实现了 Cu(111) 上外延石墨烯的生长。在不使用氩气过压的情况下石墨烯生长受到抑制，归因于高温下的 Cu 升华。在生长的初始阶段，观察到圆形石墨烯岛呈随机分布。这些岛的主要旋转取向与 Cu(111) 衬底晶格的偏差在 以内。
引用
@article{arxiv.1307.4928,
title = {Argon Assisted Growth of Epitaxial Graphene on Cu(111)},
author = {Zachary R. Robinson and Parul Tyagi and Tyler R. Mowll and James B. Hannon and Carl A. Ventrice},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.4928},
year = {2013}
}