在蓝宝石基面上单晶Cu(111)薄膜上生长的高质量、可转移石墨烯
材料科学
2011-03-21 v2
摘要
目前在铜表面(多晶箔和薄膜)上生长大面积石墨烯并将其转移到任意基底上的方法在技术上具有吸引力。然而,通过在单晶铜表面上生长石墨烯,可以显著提高其质量。本文展示了在可重复使用的蓝宝石基面(alpha-Al2O3(0001))基底上的外延单晶Cu(111)薄膜上生长高质量、大面积石墨烯,并将其转移到另一基底上的方法。该方法在实现铜单晶表面石墨烯生长的同时,有潜力避免因在石墨烯转移过程中牺牲块体单晶铜所带来的高成本和石墨烯的严重损伤。
引用
@article{arxiv.1012.1588,
title = {High Quality, Transferable Graphene Grown on Single Crystal Cu(111) Thin Films on Basal-Plane Sapphire},
author = {Kongara M. Reddy and Andrew D. Gledhill and Chun-Hu Chen and Julie M. Drexler and Nitin P. Padture},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.1588},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 3 figures