Cu(111)上生长的石墨烯镶嵌结构的起源
材料科学
2011-10-20 v2
摘要
我们使用低能电子显微镜研究石墨烯在Cu(111)上的生长方式。石墨烯岛首先在衬底缺陷处（如台阶聚束和杂质）成核。这些岛中有相当一部分可能与衬底存在旋转错位，从而在岛间相遇时产生晶界。当石墨烯跨越衬底台阶聚束生长时，也会产生新的旋转边界。因此，较粗糙的衬底比较平坦的衬底导致更高程度的镶嵌结构。提高生长温度可改善晶体学取向。通过比较岛形状随时间演化的模拟与实验，我们证明石墨烯在Cu(111)上的生长受表面扩散限制。岛呈枝晶状并具有明显的瓣叶，但与在(100)织构Cu箔上观察到的多晶四瓣岛不同，每个岛可以是单晶。因此，在光滑、洁净的Cu(111)上外延的石墨烯比在Cu(100)上具有更少的晶体结构缺陷。
引用
@article{arxiv.1107.1909,
title = {Origin of the Mosaicity in Graphene Grown on Cu(111)},
author = {S. Nie and J. M. Wofford and N. C. Bartelt and O. D. Dubon and K. F. McCarty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.1909},
year = {2011}
}
备注
Article revised following reviewer comments