Cu/云母上异质外延生长石墨烯的晶体取向关系与宏观表面粗糙度
材料科学
2015-10-08 v1
摘要
石墨烯电子学急需基底上清洁、平坦且取向明确的石墨烯。本研究调查了通过化学气相沉积在 Cu(111)/云母 (001) 上异质外延生长石墨烯的情况，以检验其作为石墨烯顶栅绝缘体研究以及将石墨烯转移至 SiO2/Si 基底进行石墨烯沟道研究的适用性。调整石墨烯生长条件后，石墨烯/Cu/云母基底的表面粗糙度和平均平滑面积分别约为 0.34 nm 和 ~100 um2。石墨烯/Cu/云母基底中石墨烯的取向可通过 Cu 的六边形空洞形貌来识别。此外，我们证明了转移到 SiO2/Si 基底上的石墨烯具有约 4500 cm2V-1s-1 的较高迁移率。这些结果表明，当前的石墨烯/Cu/云母基底可用于石墨烯的顶栅绝缘体研究。
引用
@article{arxiv.1403.7964,
title = {Crystal orientation relation and macroscopic surface roughness in hetero-epitaxially grown graphene on Cu/mica},
author = {J. L. Qi and K. Nagashio and T. Nishimura and A. Toriumi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.7964},
year = {2015}
}
备注
will appear in nanotechnology