绝缘晶体衬底上的石墨烯
材料科学
2009-11-06 v1
摘要
我们表明，可以通过标准技术（机械剥离、光学和原子力显微镜）在SrTiO、TiO、AlO和CaF等晶体衬底上制备和识别超薄石墨烯片。在所考虑的衬底上，我们发现了与常规SiO衬底上类似的单层、双层和少层石墨烯及石墨薄片的分布。通过计算二维金属薄片在电介质表面的光学性质，确定了任何此类衬底上单层石墨烯的光学对比度，其值介于 ~- 1.5%（G/TiO）和 ~- 8.8%（G/CaF）之间。该对比度与实验数据合理吻合，足以通过光学显微镜进行识别。石墨烯层以地毯式模式覆盖晶体衬底，且通过原子力显微镜测定的任何晶体衬底上单层石墨烯的高度为 nm，远小于SiO上的值。
引用
@article{arxiv.0911.1058,
title = {Graphene on insulating crystalline substrates},
author = {S. Akcoeltekin and M. El Kharrazi and B. Koehler and A. Lorke and M. Schleberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1058},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 4 figures