将高指数Cu引入版图以实现高产率、干法转移的CVD石墨烯
材料科学
2023-01-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
可靠、洁净的二维材料层转移与界面连接在技术上与其生长同等重要。由于庞大且相互关联的参量空间，将二者结合仍具挑战。我们引入一种快速筛选描述符方法，以展示针对石墨烯-Cu模型体系的全流程步骤的整体数据驱动优化。我们绘制了石墨烯化学气相沉积、界面Cu氧化以解耦石墨烯以及其干法剥离的反极图晶体学依赖关系。它们的叠加使我们能够识别出迄今未探索的(168)高指数Cu取向作为整体最优。我们展示了通过外延近空间升华有效制备此类Cu取向，并实现非常高产率（>95%）与高质量的石墨烯域的机械转移，其室温电子迁移率在40000 cm/(Vs)范围内。我们的方法易于适配其他描述符与二维材料体系，并我们讨论了此类整体优化的机遇。
引用
@article{arxiv.2209.08007,
title = {Putting high-index Cu on the map for high-yield, dry-transferred CVD graphene},
author = {Oliver J. Burton and Zachary C. M. Winter and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Bernd Beschoten and Christoph Stampfer and Stephan Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.08007},
year = {2023}
}
备注
56 pages, 19 figures