半干法迁移 CVD 石墨烯缺陷分类

对石墨烯生长后迁移的深入形貌表征对于评估其质量和理解迁移后缺陷的起源具有重要重要性。本文采用半干法迁移技术将直径为毫米级的 CVD 石墨烯薄片从多晶铜箔上剥离并迁移至 SiO2/Si 基底上。我们利用该半干工艺的独特特征：保留铜基底，使能够在迁移各阶段对石墨烯与铜进行位置特异的形貌比较。通过形貌表征技术的组合，实现了对各种迁移后石墨烯缺陷（裂纹、皱褶、孔洞、撕裂）的追踪与阐明。具体而言，热力学诱导的皱褶演化为纳米规模裂纹，而铜表面阶梯导致褶皱。此外，我们发现铜箔的宏观表面轮廓也对缺陷形成起到关键作用。本工作提供了正确解释石墨烯在相关基底上后迁移形貌的指南，以及如何正确评估其质量。这有助于优化石墨烯的 CVD 生长和迁移工艺，以利未来应用。