识别并消除铜箔杂质以优化石墨烯生长

铜箔杂质正阻碍通过化学气相沉积（CVD）规模化生产高质量石墨烯。本文对 CVD 工艺后铜表面这些不可避免污染物的来源进行了深入研究。我们确定了两类不同的杂质来源。第一类为内在杂质，源于铜箔制造过程，在高温热处理前已存在于表面，或埋藏于铜箔内部。埋藏杂质在高温处理过程中向铜表面扩散并析出。第二类为外部来源：源自石英管的二氧化硅污染同样会在铜上析出。将铜箔样品置于适当的限域环境中可轻松解决外在二氧化硅污染问题。内在杂质因散布于整个箔材中而极难去除，不过电解抛光被证明在大幅减轻该问题上尤为有效。