铜箔上氧化辅助的石墨烯异质外延
材料科学
2016-10-19 v1
摘要
我们提出了一种创新且易于实施的方法，通过在铜箔上的化学气相沉积来合成大面积单晶石墨烯片。该方法双重利用了气相中存在的残余氧。首先，通过轻微氧化铜表面，我们诱导铜中的晶界钉扎，从而冻结热重结晶过程。随后在氢气下还原铜，突然解锁了延迟的重构，通过异常晶粒生长机制促进了厘米级铜(111)晶粒的生长。其次，铜表面的氧化也极大地降低了石墨烯的成核密度。这种氧化/还原序列使得能够合成与铜(111)外延对齐的毫米级单层石墨烯畴。所生长的石墨烯薄片被证明既是单晶的，且具有高质量。
引用
@article{arxiv.1609.02761,
title = {Oxidation-assisted graphene heteroepitaxy on copper foil},
author = {Nicolas Reckinger and Xiaohui Tang and Frédéric Joucken and Luc Lajaunie and Raul Arenal and Emmanuel Dubois and Benoît Hackens and Luc Henrard and Jean-François Colomer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.02761},
year = {2016}
}
备注
Main text (18 pages, 6 figures) + supplementary information (26 pages, 15 figures)