低温下高迁移率石墨烯的一步沉积
材料科学
2015-06-09 v1
摘要
当前在铜上化学气相沉积（CVD）石墨烯的方法因多步工艺以及制备铜和诱导后续薄膜生长所需高温而复杂化。本文展示了一种等离子体增强CVD化学方法，使整个过程可在单步内、低温（< 420 C）下并在数分钟内完成。发现在铜箔上的生长从排列良好的畴阵列成核，所得薄膜具有亚纳米级平滑度、优异的结晶质量、低应变、少缺陷以及高达 (6.0 +- 1.0) x 10^{4} cm^{2}V^{-1}s^{-1} 的室温电迁移率，优于由热CVD生长得到的大面积单晶石墨烯。这些结果表明，合成高质量石墨烯无需高温和晶体衬底。
引用
@article{arxiv.1506.02058,
title = {Single-step deposition of high-mobility graphene at reduced temperatures},
author = {D. A. Boyd and W. -H. Lin and C. -C. Hsu and M. L. Teague and C. -C. Chen and Y. -Y. Lo and W. -Y. Chan and W. -B. Su and T. -C. Cheng and C. -S. Chang and C. -I. Wu and N. -C. Yeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.02058},
year = {2015}
}
备注
20 pages & 5 figures in Main Text; 12 pages & 9 figures in supplementary material