使用其他碳氢化合物源化学气相沉积生长石墨烯
材料科学
2011-03-01 v2
摘要
石墨烯因其奇特的性质和广泛的潜在应用而吸引了大量研究兴趣。使用气态碳氢化合物源的化学气相沉积（CVD）在大规模石墨烯生长方面显示出巨大前景。然而，这种生长需要高温，通常为1000°C。在这里，我们展示了一种改进的CVD路线，采用固态和液态碳氢化合物原料，在低温下在铜箔上生长石墨烯。对于固态PMMA和聚苯乙烯前驱体，在低至400°C的生长温度下合成了厘米级单层石墨烯薄膜。当使用苯作为碳氢化合物源时，在低至300°C的生长温度下获得了质量优异的单层石墨烯薄片。成功的低温生长可以从第一性原理计算中得到定性理解。我们的工作可能为经济便捷的石墨烯生长开辟一条简易途径。
引用
@article{arxiv.1101.5664,
title = {Chemical Vapor Deposition Growth of Graphene using Other Hydrocarbon Sources},
author = {Zhancheng Li and Ping Wu and Chenxi Wang and Xiaodong Fan and Wenhua Zhang and Xiaofang Zhai and Changgan Zeng and Zhenyu Li and Jinlong Yang and J. G. Hou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.5664},
year = {2011}
}
备注
This paper has been withdrawn by the authors