铜表面石墨烯生长的第一性原理热力学
材料科学
2011-09-14 v2 化学物理
摘要
化学气相沉积是在基底上合成石墨烯的重要方法。近年来，铜成为最流行的石墨烯生长CVD基底。在这里，我们结合电子结构计算、分子动力学模拟和热力学分析，研究了铜表面上的石墨烯生长过程。作为一个基础重要但先前被忽视的事实，我们发现，在典型实验条件下，碳原子在铜表面热力学上是不利的。因此，石墨烯生长的活性物种应主要是CHx而非原子碳。基于这一新图像，可以理解成核行为，这解释了许多实验观察结果，并为我们提供了提高石墨烯样品质量的指南。
引用
@article{arxiv.1101.3851,
title = {First-Principles Thermodynamics of Graphene Growth on Cu Surface},
author = {Wenhua Zhang and Ping Wu and Zhenyu Li and Jinlong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3851},
year = {2011}
}
备注
accepted by JPC-C