用碳同位素标记研究Cu和Ni上石墨烯生长的演化
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
大面积石墨烯是一种新材料，其特性使其适用于先进的微缩电子器件。最近，使用碳氢化合物在金属基底（如Ni和Cu）上进行化学气相沉积（CVD）生长石墨烯和少层石墨烯已被证明是一种有前景的技术。近期出版物提出，Ni上石墨烯的生长是通过C的偏析或沉淀发生的，而Cu上则是通过表面吸附。在本快报中，我们使用碳同位素标记技术来阐明生长动力学，并明确证明Cu上石墨烯的生长是通过表面吸附，而Ni上则是通过偏析-沉淀。为了获得均匀的石墨烯薄膜，需要理解石墨烯生长的演化过程以及由此产生的生长机制。本快报中呈现的结果清楚地表明，表面吸附比沉淀更适合生长石墨烯，因为它是一个自限过程，因此易于制造。
引用
@article{arxiv.0907.1859,
title = {Evolution of graphene growth on Cu and Ni studied by carbon isotope labeling},
author = {Xuesong Li and Weiwei Cai and Luigi Colombo and Rodney S. Ruoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.1859},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures