在 Ni 表面偏析并转移至绝缘体的石墨烯

我们报道了一种通过表面偏析和基底转移合成高质量石墨烯的方法。石墨烯是在常压下通过将碳溶解于高温 Ni 中，随后以不同速率冷却而从 Ni 表面偏析出来的。不同的冷却速率导致了不同的偏析行为，显著影响了石墨烯薄膜的厚度和质量。电子显微镜和拉曼光谱表明，以中等冷却速率合成的石墨烯薄膜具有高质量的晶体结构和可控的厚度。通过湿法刻蚀将石墨烯薄膜转移至绝缘基底上，发现其保持了高质量。