在介电绝缘体上直接低温合成纳米石墨烯
介观与纳米尺度物理
2011-03-03 v1
摘要
石墨烯被认为是未来高速和柔性电子器件中极具潜力的材料。当前的制备路线依赖于金属基底，需要在合成后将石墨烯转移到硅晶圆上；或者，在碳化硅上外延生长的情况下，需要高于1000°C的温度。这些工艺中的操作难度和高温条件都不太适合当前的硅基技术。我们报道了一种简便的化学气相沉积方法，通过该方法可在氧化镁上直接形成纳米石墨烯和少层石墨烯，并且可以在低至325°C的温度下实现。
引用
@article{arxiv.1103.0497,
title = {Direct Low Temperature Nano-Graphene Synthesis over a Dielectric Insulator},
author = {Mark H. Rümmeli and Alicja Bachmatiuk and Andrew Scott and Felix Börrnert and Jamie H. Warner and Volker Hoffmann and Jarrn-Horng Lin and Gianaurelio Cuniberti and Bernd Büchner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0497},
year = {2011}
}